2023年CMOS集成电路设计（910）考试大纲

考试科目：CMOS数字集成电路、CMOS模拟集成电路

考试形式和试卷结构

参考书：

（CMOS数字集成电路部分：1或2均可）

1、Sung-Mo Kang,Yusuf Leblebici,Chulwoo Kim著，王志功，窦建华译，CMOS数字集成电路——分析与设计（第4版），电子工业出版社，2015年4月出版，ISBN:9787121249877

2、Rabaey J著，周润德等译，数字集成电路——电路、系统和设计（第二版），电子工业出版社，2010年11月1日出版，ISBN：9787121119828

（CMOS模拟集成电路部分）

3、模拟CMOS集成电路设计,[美]毕查德.拉扎维著,陈贵灿，程军，张瑞智等译,西安交通大学出版社，2003年2月出版，ISBN：9787560516066

一、试卷满分及考试时间

试卷满分为150分，考试时间为180分钟．

二、试卷内容结构

CMOS数字集成电路约90%

CMOS模拟集成电路约60%

三、试卷题型结构

简答题10小题共50分

解答题（包括计算、电路分析、版图结构等）8小题，共100分

考试范围

（CMOS数字集成电路）

1.CMOS反相器的静态特性和动态特性，反相器功耗；

2.CMOS传输门；

3.CMOS组合逻辑电路；

4.CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器)；

5.动态CMOS逻辑电路(预充电-求值（PE）逻辑、多米诺逻辑)；

6.数字集成电路连线模型、延时、寄生参数；

7.数字集成电路设计流程、设计方法

（CMOS模拟集成电路）

8.单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜；

9.运算放大器结构与设计;

10.模拟集成电路中的反馈；

11.放大器的频率特性与频率补偿

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