科目代码：F1901

科目名称：微电子器件

适用专业：电子科学与技术、电子与通信工程（专业学位）

一、考试要求

微电子器件适用于河北工业大学电子科学与技术、电子与通信工程（专业学位）研究生招生复试。主要考察pn结、BJT、MS和场效应晶体管基本观念及原理、物理模型以及数学描述，要求学生熟悉制造半导体器件过程中对应的器件结构，能够绘制晶体管结构和原理图，定量计算晶体管中参量，并分析中微电子器件参量的中的关键因素。

二、考试形式

试卷采用客观题型和主观题型相结合的形式，主要包括选择题、判断题、简答题、计算题、综合题等。

三、考试内容

第1部分 pn结

第1.1部分 pn结静电特性

pn结基本概念和结构、定量地描述pn结静电势。

第1.2部分 pn结二极管的I-V特性

分析pn结导通原理、理想pn结I-V特性的严格推导过程，考虑反向击穿、产生-复合电流实际pn结与理想差异，大电流影响pn结I-V特性和窄基区二极管。

第1.3部分pn结二极管小信号导纳

pn结小信号等效电路，pn结反向电容和电导、pn结正向偏置扩散导纳。

第2部分BJT

第2.1部分BJT基础知识

BJT的表示符号和工作方式，BJT的静电特性定性分析BJT工作原理，衡量BJT的参数。

第2.2部分BJT静电特性

BJT直流特性，BJT理论与实验的偏差，现代BJT结构。

第2.3部分BJT动态响应模型

BJT小信号模型，BJT动态响应和实际BJT动态响应。

第3部分MS接触和肖特基二极管及场效应晶体管

第3.1部分MS接触、肖特基二极管

金属半导体（MS）接触，肖特基二极管工作原理。

第3.2部分场效应晶体管

场效应晶体管结构、J-FET工作原理，考虑源漏电阻J-FET的输出和交流响应定量计算J-FET特性，MESFET工作原理和短沟道效应。

四、参考书目

[1] [美]Robert F.Pierret著，黄如，王漪，王金延，金海岩译. 半导体器件基础. 北京：电子工业出版社，2010年